大庆溢泰请求半绝缘化合物单晶及其制备办法专利进步化合物单晶的绝缘功能

　　国家知识产权局信息数据显现，大庆溢大半导体资料有限公司请求一项名为“一种半绝缘化合物单晶及其制备办法”的专利，公开号CN121700511A，请求日期为2026年1月。

　　专利摘要显现，本发明触及单晶成长技术领域，且公开了一种半绝缘化合物单晶及其制备办法，包含以下过程：将碳化硅粉和碳化钒粉混合，得到碳化硅混合粉料；将碳化硅混合粉料置于石墨坩埚底部，将预处理籽晶置于石墨坩埚盖上后，置于石墨坩埚上部，安装好后，置于单晶成长炉中，密封，构成安装好的单晶成长炉；对安装好的单晶成长炉进行抽真空，通入惰性气体，加热反响后，经降压、升压，冷却至室温，得到半绝缘化合物单晶。经过引进特定的深能级杂质钒元素，来准确补偿碳化硅单晶中不可避免的杂质，然后“冻住”载流子，完成高电阻率，进步化合物单晶的绝缘功能，且可以补偿氮元素引起的晶格畸变，削减晶错密度。

　　天眼查资料显现，大庆溢大半导体资料有限公司，成立于2018年，坐落大庆市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本8050万人民币。经过天眼查大数据分析，大庆溢大半导体资料有限公司共对外出资了2家企业，参加招投标项目35次，专利信息65条，此外企业还具有行政许可41个。

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