中金：SiCGaN等中心第三代化合物半导体器材有望继续获益于数据中心电力相关系统升级

  （原标题：中金：SiC/GaN等中心第三代化合物半导体器材有望继续获益于数据中心电力相关系统升级）

  公民财讯6月30日电，中金指出，在AI算力走向高密度、接连满载、强瞬态冲击之后，高压架构是数据中心供电系统开展的确认方向。在硬件技术进步推进下，2026年数据中心高压架构迎来落地元年。中金以为，SiC/GaN等中心第三代化合物半导体器材有望继续获益于数据中心电力相关系统升级，SiC有望统领机房侧（灰区）使用，而GaN有望在机柜内（白区）大规模浸透，从灰、白区分界线构成“SiC左，GaN向右”的商场格式，一起获益于数据中心电源计划迭代。

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