【48812】英诺赛科“含有硅掺杂氮化铝层的半导体器材及其制作办法”专利获授权

  天眼查显现，英诺赛科（珠海）科技有限公司近来获得一项名为“含有硅掺杂氮化铝层的半导体器材及其制作办法”的专利，授权公告号为CN106449375B，授权公告日为2024年7月5日，申请日为2016年12月26日。

  本发明触及一种含有硅掺杂氮化铝层的半导体器材及其制作办法。该半导体器材包括衬底、设在该衬底上部的籽晶层、设在该籽晶层上部的缓冲层以及设在该缓冲层上部的Ⅲ族氮化物外延层。本发明经过在氮化铝中掺杂必定浓度的硅，在硅衬底上中生长包括硅掺杂氮化铝层的籽晶层，硅掺杂氮化铝与硅原子的晶格失配数比较挨近，硅掺杂氮化铝层在硅基底上更好的生长，能够轻松又有用的阻挠硅由衬底分散进入氮化镓外延层，减少了硅与氮化镓的反响，改进了氮化镓或氮镓铝/氮化镓薄膜的质量，提高了半导体器材的作业功能。

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